计算机组成原理
计算机性能指标
机器字长
数据通路带宽
CPU时钟周期
CPU主频
CPI(cycle per instruction)
IPS(instruction per second)=主频/CPI
CPU执行时间=CPU时钟周期数/主频=指令条数* CPI/主频=指令条数/IPS
MIPS(Million Instructions Per Second)= IPS / 10⁶
FLOP
定点数加减
浮点数加减
浮点数表示
符号位S 阶码E 尾数M
表示范围(以符号位1位,阶码7位,尾数24位为例):
下界(尾数取最小,最后1位为1;阶码取最小-64):
上界(尾数取最大,全1;阶码取最大63):
规格化
保证尾数最高数位是一个有效值
运算结果的尾数最高位不是有效位→左规:尾数左移一位,阶码减一
运算结果的尾数的有效位进到小数点前面→右规:尾数右移一位,阶码加一(右规可能导致阶码溢出)
IEEE754
单精度和双精度
IEEE754尾数采用原码,在尾数小数点前方有个隐藏位1
阶码数采用移码,偏置值位 (n位阶码位数)。单精度浮点数阶码为8位,偏置值为127;双精度阶码为11位,偏置值为1023。
表示范围:
单精度最小值(尾数全0,阶码取1):
单精度最大值(尾数全1,阶码取254):
当尾数全0时,阶码取0表示正(负)零,阶码取全1表示正(负)无穷大
当尾数不为0时,阶码取0表示非规格化正(负)数,阶码取全1表示无定义数(NaN)
浮点数加减
对阶:小阶码向大阶码看齐(小阶码尾数右移阶码加1知道与大阶码相等)
尾数原码加减
存储器
分类
作用层次分类
主存储器
辅存储器
高速缓冲存储器
存储介质分类
磁表面存储器
磁芯存储器
半导体存储器
光存储器
存取方式分类
随机存储器RAM
只读存储器ROM
掩模式只读存储器MROM
一次可编程只读存储器PROM
可擦除可编程只读存储器EPROM
Flash存储器
固态硬盘SSD
串行访问存储器
顺序存取存储器
磁带
直接存取存储器
磁盘、光盘
消息可保存性
易失性存储器
非易失性存储器
存储器芯片概念
存储元/存储元件
存放1 bit
存储单元
地址码相同的多个存储元
存储体
若干个存储单元的集合
SRAM
双稳态触发器存储
DRAM
单个晶体管存储
读后再生
刷新周期:相邻两次刷新的时间,通常取2ms
刷新方式
集中刷新
固定时间所有行逐一刷新
停止读写,称为死时间或访存死区
分散刷新
工作周期分两部分,读写完立马刷新
异步刷新
刷新单位:行
SDRAM
突发传输方式
发首地址,传输多个连续单元数据
行缓冲器
存储器芯片内部结构
存储体
地址译码器
单译码法
双译码法
I/O控制电路
片选控制信号
读/写控制信号
结构图
主存储器的基本组成
编址单位:具有相同地址的那些存储元件构成的一个单位
读/写控制信号
I/O控制电路
MAR
地址线
地址寄存器
地址译码器
地址线引脚复用,行地址与列地址
DRAM按行刷新,行数<=列数
储存元件
MDR
数据线
存储字长
原理图