计算机组成原理

计算机性能指标

机器字长
数据通路带宽
CPU时钟周期
CPU主频
CPI(cycle per instruction)
IPS(instruction per second)=主频/CPI
CPU执行时间=CPU时钟周期数/主频=指令条数* CPI/主频=指令条数/IPS
MIPS(Million Instructions Per Second)= IPS / 10⁶
FLOP

定点数加减

浮点数加减

浮点数表示

符号位S 阶码E 尾数M

表示范围(以符号位1位,阶码7位,尾数24位为例):

下界(尾数取最小,最后1位为1;阶码取最小-64):

上界(尾数取最大,全1;阶码取最大63):

规格化

保证尾数最高数位是一个有效值

运算结果的尾数最高位不是有效位左规:尾数左移一位,阶码减一

运算结果的尾数的有效位进到小数点前面右规:尾数右移一位,阶码加一(右规可能导致阶码溢出)

IEEE754

单精度和双精度

IEEE754尾数采用原码,在尾数小数点前方有个隐藏位1

阶码数采用移码,偏置值位 (n位阶码位数)。单精度浮点数阶码为8位,偏置值为127;双精度阶码为11位,偏置值为1023。

表示范围:

单精度最小值(尾数全0,阶码取1):

单精度最大值(尾数全1,阶码取254):

当尾数全0时,阶码取0表示正(负)零,阶码取全1表示正(负)无穷大

当尾数不为0时,阶码取0表示非规格化正(负)数,阶码取全1表示无定义数(NaN)

浮点数加减

对阶:小阶码向大阶码看齐(小阶码尾数右移阶码加1知道与大阶码相等)

尾数原码加减

存储器

分类

作用层次分类
    主存储器
    辅存储器
    高速缓冲存储器
存储介质分类
    磁表面存储器
    磁芯存储器
    半导体存储器
    光存储器
存取方式分类
    随机存储器RAM
    只读存储器ROM
        掩模式只读存储器MROM
        一次可编程只读存储器PROM
        可擦除可编程只读存储器EPROM
        Flash存储器
        固态硬盘SSD
    串行访问存储器
        顺序存取存储器
            磁带
        直接存取存储器
            磁盘、光盘
消息可保存性
    易失性存储器
    非易失性存储器

存储器芯片概念

存储元/存储元件
    存放1 bit
存储单元
    地址码相同的多个存储元
存储体
    若干个存储单元的集合
SRAM
	双稳态触发器存储
DRAM
	单个晶体管存储
	读后再生
	刷新周期:相邻两次刷新的时间,通常取2ms
	刷新方式
		集中刷新
			固定时间所有行逐一刷新
			停止读写,称为死时间或访存死区
		分散刷新
			工作周期分两部分,读写完立马刷新
		异步刷新
	刷新单位:行
SDRAM
	突发传输方式
		发首地址,传输多个连续单元数据
	行缓冲器

存储器芯片内部结构

	存储体
	地址译码器
		单译码法
		双译码法
	I/O控制电路
	片选控制信号
	读/写控制信号
	结构图

主存储器的基本组成

	编址单位:具有相同地址的那些存储元件构成的一个单位
	读/写控制信号
		I/O控制电路
	MAR
		地址线
			地址寄存器
				地址译码器
			地址线引脚复用,行地址与列地址
				DRAM按行刷新,行数<=列数
	储存元件
	MDR
		数据线
	存储字长
	原理图